1.LED投光灯难压焊：(首要有打不粘，电极掉落，打穿电极)

A：打不粘：首要由于电极外表氧化或有胶

B：有与发光资料触摸不牢和加厚焊线层不牢，其间以加厚层掉落为主。

C：打穿电极：通常与芯片资料有关，资料脆且强度不高的资料易打穿电极，通常GAALAS资料(如高红，红外芯片)较GAP资料易打穿电极，

D：压焊调试应从焊接温度，超声波功率，超声时刻，压力，金球巨细，支架定位等进行调整。

2.LED投光灯正向电压下降，暗光

A：一种是电极与发光资料为欧姆触摸，但触摸电阻大，首要由资料衬底低浓度或电极破损所构成的。

B：一种是电极与资料为非欧姆触摸，首要发生在芯片电极制备进程中蒸腾第一层电极时的挤压印或夹印，散布方位。

别的封装进程中也可以构成正向压下降，首要缘由有银胶固化不充分，支架或芯片电极沾污等构成触摸电阻大或触摸电阻不稳定。

正向压下降的芯片在固定电压查验时，经过芯片的电流小，然后体现暗点，还有一种暗光表象是芯片自身发光功率低，正向压降正常。

3.LED投光灯发光色彩差异：

A：同一张芯片发光色彩有显着差异首要是由于外延片资料疑问，ALGAINP四元素资料选用量子计划很薄，成长是很难确保各区域组分一同。(组分选择禁带宽度，禁带宽度选择波长)。

B：GAP黄绿芯片，发光波长不会有很大过失，可是由于人眼对这个波段色彩活络，很简单查出偏黄，偏绿。由于波长是外延片资料选择的，区域越小，呈现色彩过失概念越小，故在M/T作业中有附近选取法。

C：GAP赤色芯片有的发光色彩是偏橙黄色，这是由于其发光机理为直接跃进。受杂质浓度影响，电流密度加大时，易发生杂质能级偏移和发光饱满，发光是开始变为橙黄色。

4.LED投光灯反向漏电：

A：缘由：外延资料，芯片制造，器材封装，查验通常5V下反向漏电流为10UA，也可以固定反向电流下查验反向电压。

B：反常类型的LED反向特性相差大：普绿，普黄芯片反向击穿可抵达一百多伏，而普芯片则在十几二十伏之间。

C：外延构成的反向漏电首要由PN结内部计划缺点所构成的，芯片制造进程中周围面腐蚀缺乏或有银胶丝沾附在测面，严禁用有机溶液分配银胶。以避免银胶经过毛细表象爬到结区。

5.LED投光灯闸流体效应;

A：是发光二极管在正常电压下无法导通，当电压加高到必定程度，电流发生骤变。